美国MMR公司变温霍尔效应测试仪

北京飞凯曼科技有限公司提供美国MMR公司高性能的变温霍尔效应测试仪（系统）、变温变磁场霍尔效应测试仪（系统）、热电系数测试仪、塞贝克效应测试仪、变温探针台、高低温探针台等产品。
变温变磁场霍尔效应测量仪是利用范德堡测量技术在不同温度和不同磁场时对半导体材料的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率等进行测量，用来表征和了解材料的物理性质。该变温霍尔效应测量仪主要可包括霍尔效应测量控制系统、变温控制器、磁场控制系统三部分。
变温霍尔效应测量仪系统、霍尔效应测量仪，变磁场霍尔效应测量仪，塞贝克效应测试仪，热电效应测试仪，变温探针台，高低温探针台。

主要特点
1）宽的工作温度范围（70-730K）
2）高的温度稳定性和重复性（±0.1K）
3）可选电磁场（1.4T和5000高斯）和永磁体5000高斯
4）灵活配置的模块设计，可以根据经费和实验需求组建系统
5）低运行成本
6）无机械、声学和电子噪声
7）可与塞贝克效应测试仪（热电效应测试仪或热电系数测试仪）公用平台。
 
主要应用
半导体材料（比如说Si, Ge, GaAs, AlGaAs, CdTe, and HgCdTe）、电磁材料（磁电阻器件、GMR薄膜、稀磁半导体、**导体材料）的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率测量

主要技术参数
1）测试功能：测量半导体材料的载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等半导体参数。
2）测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3）磁场强度： 0.5T永磁体、0.5T电磁体、1.4T电磁体（根据应用可选）
4）磁场均匀性：非均匀性＜±1 %
5）测试温度范围：70K-580K,80K-580K,70K-730K,80K-730K,室温-730K（几种温度范围可选）
6）温度控制精度：0.1K
7）温度稳定性：±0.1 K
8）电阻率范围：10-6-1013 Ohm*cm
9）电阻范围：10 m Ohms-10G Ohms
10）载流子浓度：102-1022cm-3（取决于样品厚度）
11）迁移率：1-107cm2/volt×sec(取决于磁场强度)
12）输入电流范围：0.1 pA-10mA
13）输入电流精度：2%
14）输入电压范围：±2.5V,较小可测到6×10-6V
15）电压分辨率：3×10-7V
16）电压精度：2%
其他详细参数请咨询我们。